韩国半导体巨头三星电子（SSNLF.US）周二表示，已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储芯片（HBM）。三星电子表示，最新的HBM3E12H产品将HBM3EDRAM芯片堆叠至12层，是迄今为止容量最大的HBM产品。据悉，HBM3E12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB；相比三星电子8层堆叠的HBM38H，HBM3E12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongcheolBae表示：“业界对容量更大的HBM的要...